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神谷 富裕; 峰原 英介
Proc. of the 8th Symp. on Ion Beam Technology Hosei University, p.45 - 50, 1989/00
MeVイオンマイクロビーム用四重極電磁石の測定と計算による磁場解析を行った。この目的は製作された電磁石の磁場特性を引き出し、今後製作する電磁石によって1m以下のビームスポットサイズを得るためである。最初に早稲田大学との共同研究において製作された二連四重極電磁石の水平中心平面内の垂直磁場分布をホールプローグを用いて測定した。次に3次元磁場計算プログラムELF/MAGICを用いて四重極電磁石のやはり水平中心平面内の垂直磁場分布を計算した。測定と計算の双方によって得られたデータから中心軸方向の多重極磁場成分の分布を同様の方法で求めた。今回は磁場の測定及び計算の方法を示し、得られた多重極磁場成分の分布について2つの結果の比較をし、議論する。